陈望和小才说话间毕瑾已经去找武厂长和公安同志去协商上课的事了，而陈望则去了后面的实验室。
新厂房这边的实验室已经被严格管控起来，不仅立了闲人勿进的警示牌，还有专门的值岗亭，里面站着的都是荷枪实弹的士兵。
虽然比不上之前陈望去军区研究所那样森严戒备，但就种架势已经让工厂里的工人都望而却步不敢靠近一步了。
伍开德和晋成国他们在实验室旁边的空房子里弄了个小的办公室，此时看见陈望过来都激动不已。
“陈所长，你终于来了。”
早上伍开德在电话已经给陈望说过四机部那边希望他能再拉制一根用来制造NMOS集成电路的单晶硅棒出来，所以陈望直接问道：“什么时候要？”
本来有一堆话要问出口伍开德听到这句话脑子差点没反应过来，“啊？”
陈望见状又重复了一遍，“不是要拉制轻掺杂的P型单晶硅棒吗？要得急吗？”
“要要要，要得不怎么急，不是——”这是时间急不急的问题吗？这是难不难，行不行的问题啊！
但伍开德的话还没说完陈望又问道：“晶向是＜100＞吗？”
“是，嗯？我已经说过要求了吗？陈所长怎么知道这么详细？”
“NMOS电路是基于N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管构建的，要掺杂形成N沟道，那就只有P型底衬或P型外延层底衬。
但是P型外延层底衬的工艺更加复杂，所以我估计设计者还是得选P型底衬。”
伍开德听到这里都惊呆了，因为陈望不仅说得没错，而且连当初永光电子厂在设计时为什么选P型底衬没有选外延层底衬的原因都说对了！
设计这款集成电路时他也参与过研究，当时要不是实在没办法稳定、批量、控制成本的生产出高质量的外延片，他们肯定会选性能更高、功耗更低的外延片底衬。
陈望没有注意伍开德脸上的惊诧继续说道：“至于晶向嘛，那就更简单了，＜100＞晶向的硅晶在热生长二氧化硅时能产生最低的界面态密度。
而最低的界面密度能降低载流子的缺失，从而生长出质量最高、电学特性最稳定的栅氧化层。
所以如果要保证NMOS器件的性能和良率，＜100＞晶向是最好的选择。”
陈望根本没把推测出NMOS电路的单晶硅的掺杂类型和晶向当成一个问题，因为在他看来这就是一眼能看出来的事，说这么多就是想问伍教授四机部什么时候把制备半导体的仪器设备送过来。
既然已经让他开始拉制轻掺杂的单晶硅，那他也是时候自己研发芯片了！
伍开德听完陈望的问题一时不知道该说什么，因为陈望到之前他满脑子都还想的是该怎么攻克轻掺杂工艺的难点。
但陈望现在却在跟说要设计研发芯片......
这，这......
而此时办公室里的其他人除了震惊以外心里也只有一个想法：跟着陈所长，这步子迈得不是一般的大啊！
“哦，对了伍教授，你之前说签了保密协议后就可以进实验室，那这次我能带两个帮手去吗？”陈望之前不带是因为工厂没有专业的研究员，现在有现成的，他当然不会自己再傻傻一个人忙活。
但这话落在众人耳朵里那简直就跟天降馅饼一样。
于是办公室里所有人都齐刷刷举起了手，一个两个眼睛亮得吓人。
“我！”
“我，我去！”
哦，也不是所有人都举起了手，伍开德就没有举手。
但他不是不想举，也不是觉得自己是教授就放不下面子不敢举。
纯粹就是年纪太大了，慢了一拍而已。